在做氧化实验或者硅片清洗时，需要用到高浓高度臭氧发生器，高浓度臭氧发生器很多人理解为臭氧浓度在99%，其实大家所谓的高浓度臭氧发生器是臭氧浓度超过100mg/L，都称为高浓度，这2个单位是不一样的。在半导体行业，需要的臭氧浓度在200mg/L-400mg/L，下面介绍一款浓度在超过200mg/L的臭氧发生器。

 

臭氧产量：30g/h

标称工作压力：20 PSIG

臭氧浓度：高达 22%，

气体流速：0.1 – 4 slpm

原料气 - 氧气浓度为 90%-95%，以获得 很佳性能。

 

将臭氧发生器放置在通风良好且不受天气因素影响的区域

 

220 V ~ ±3%，50/60 Hz，单相，3.5 A

很大功耗：350 W

 

氧气入口：0.25 英寸世伟洛克

臭氧气体管道出口：0.25 英寸不锈钢世伟洛克

 

外壳：拉丝不锈钢/铝制

高精度机加工臭氧发生器电池在高达 150 PSIG 的压力下进行泄漏测试

O3/O2 气体管道：PTFE/304 不锈钢/黄铜

 

外壳尺寸：177.8 mm高 x 355.6 mm宽 x mm 深

发电机重量：12Kg

 

这一款是风冷，臭氧浓度高，相比同种产量和浓度的臭氧发生器来说，体积非常的小，适合实验室或者工业化使用。